芯片的工艺上取得了巨大的技术突破。
“目前来说，量子芯片内的核心计算单元，是通过堆迭来实现的，而这个堆迭精度需要达到百纳米级别，根据公开消息，目前根据这一技术路线做出来的量子芯片，其堆迭数量不尽人意！”
“为了进一步提升量子芯片内部的核心计算单元数量，必须提升堆迭精度，如此才能够在量子芯片上堆迭更多的计算单元，而这是目前的技术工艺所无法做到的！”
“智云集团必然是寻找到了一条全新的工艺路线，进而实现了更多计算单元的量子芯片的制造！”
这个博主猜测的是新的技术路线……实际上还是有所差异的，智云集团采用是全新自研的3D类堆迭技术路线，为此重新打造了一整条生产线，研发了多种核心的制造设备，其中最为核心的当属量子对准机。
其第四代量子对准机，已经可以实现二十纳米级别的对准偏移量，这个精度可是非常惊人的……目前地球上除了仙女山控股拥有这种超高精度量子对准机外，根本不存在第二家公司有类似的技术。
别说第四代量子对准机了，就算是上一代的第三代量子对准机的四十纳米的对准偏移量，这个精度也是没有其他公司的设备能够达到的。
而第四代的量子对准机，也只是量子芯片生产线的其中一种核心设备而已，其他的各类核心设备还有十多种，细分下来各种高精度设备有一百多种呢，辅助设备两百多种呢。
整个量子芯片的制造工厂，其复杂程度以及技术先进程度，其实比三纳米芯片工厂更高！
因为先进量子芯片的制造难度，本身就比三纳米工艺的半导体芯片更难。
三纳米工艺的芯片，智云集团旗下的智云微电子都能进行量产了，良率也有几十个百分点。
但是智云集团目前依旧无法实现先进量子芯片的大规模、低成本量产……哪怕是早已经量产的第五代量子芯片也如此……产能很低的，年产量只有区区两千片不到！
主要是智云集团的超导量子芯片，为了满足LX构架的特殊性，专门研发了一种全新的3D类超导元器件堆迭量子芯片构架。
其技术路线，加工方式都和其他厂商使用传统半导体技术进行加工的量子芯片是有根本性的技术路线差异的！
这两者并不是同一种东西！
智云集团要制造一枚3D类量子芯片，需要在芯片上精准堆迭数十万个甚至更多的元器件，并且每一次的对准偏移量都要控制在数十纳米的精度……一个元器件堆迭偏差过大，就会导致一整个区域的元器件工作区失效，为此智云集团的量子芯片设计部门还专门设计了功能区屏蔽技术，把加工过程里出现的失效功能区进行屏蔽。
但是来多几次的话，导致过多功能区域失效的话，依旧会导致整个量子芯片报废……甚至想要屏蔽掉失效功能区域的策略也行不通的，这些功能区域都是高度关联的，屏蔽几个功能区还行，勉强能继续使用……只不过可控量子比特数量要下降。
但是屏蔽数量太多的话，那么就没办法了，会直接导致整个量子芯片都废掉，没法用了。
当然，如果运气超级爆炸，芯片加工过程里失效的功能区极少，甚至没有的话，那么其可控量子比特数量就会超过设计预期，比如第五代量子芯片里，最顶级的量子芯片实际上是可以达到一万两千个量子比特的……但是次品则是只有八千个量子比特左右。
同样是第五代量子芯片，也有着性能差距的！
但是不管如何，智云集团自研的3D堆迭量子芯片需要堆迭加工的元器件数量太多，而且对精度要求极高，最终导致良率极低。
而良率极低，意味着产能低，同时量子芯片的研发成本需要平摊进去，昂贵的量子芯片工厂的建设投-->>